NCE30ND07BS

NCE30ND07BS http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07BS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram ● VDS =30V,ID =6.5A RDS(ON) < 29mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <34mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) < 44mΩ @ VGS=2.5V ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WM03DN85A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
P- WMS14DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- IRF7313TR (YOUTAI)
 

IRF7313TR (INFIN)
25 шт
 
P- JMTP260N03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- IRF7303TR (YOUTAI)
 

IRF7303TR (INFIN)
SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
P- YJS3404A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE30ND07BS 

Microsoft Word - NCE30ND07BS data sheet.doc

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 292.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.