IRF7313TRPBF-VB

VBSemi
IRF7313TRPBF www.VBsemi.com Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 30 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.022 at VGS = 10 V 6.8 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % UIS Tested • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qg (Typ.) 15 nC APPLICATIONS • Set Top Box • Low Current DC/D...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
PA IRF7313TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7313TRPBF (INFIN) 		— в ленте 4000 шт — —
P= JMTP260N03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P= IRF7313TR (VBSEMI)
 

IRF7313TR (INFIN) 		— 4000 шт — —
P= IRF7313TRPBF (TECH PUB)
 

IRF7313TRPBF (INFIN) 		— 65 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRF7313TR (YOUTAI)
 

IRF7313TR (INFIN) 		— в ленте 25 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= NCE30ND07BS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — — — — — — —
A+ IRF7311 (EVVO)
 

IRF7311 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7303TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 4000 шт — —
A+ IRF7303TR (VBSEMI)
 

IRF7303TR (INFIN) 		— 50 шт — —
A+ IRL6372 (EVVO)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт — — —
A+ IRF9956 (EVVO)
 

IRF9956 (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт — — —
A+ IRF8313 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRF7313TRPBF www.VBsemi.com Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 30 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.022 at VGS = 10 V 6.8 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % UIS Tested • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qg (Typ.) 15 nC APPLICATIONS • Set Top Box • Low Current DC/DC SO-8 D1 S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 5 D2 G2 4 D2 G1 G2 Top View S1 S2 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Symbol VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C Single Pulse Avalanche Current Single Pulse Avalanche Energy ID TC = 25 °C TA = 25 °C IS L = 0.1 mH IAS EAS TC = 25 °C TC = 70 °C Maximum Power Dissipation TA = 25 °C TA = 70 °C Operating Junction and Storage Temperature Range Unit V 6.8a 5.6 6.2b, c 5.2b, c 30 2.25 IDM Pulsed Drain Current Continuous Source-Drain Diode Current Limit 30 ± 20 A 1.48b, c 5 mJ 1.25 2.7 1.77 1.78b, c 1.14b, c - 55 to 150 PD TJ, Tstg W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta, c, d Maximum Junction-to-Foot (Drain) t ≤ 10 s Steady State Symbol RthJA RthJF Typical 58 Maximum 70 38 45 Unit °C/W Notes: a. Package limited, TC = 25 °C. b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 10 s. d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W. 1 PDF
Документация на IRF7313TRPBF-VB 

Дата модификации: 10.03.2023

Размер: 421.2 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)