NCE40H12K
Pb Free Product
NCE40H12K
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE40H12K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =40V,ID =120A
Schematic diagram
RDS(ON) <3.95mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) <7mΩ @ VGS=4.5V
● High density ce...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 1000 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | WMO75N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| P- | WMO120N04TS (WAYON) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJAC200SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | TSM038N04LCP ROG (TSC) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | TSM033NB04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | TSM033NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | TSM025NB04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | TSM025NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | TQM033NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — | ||
| A+ | TQM025NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — | ||
| A+ | CJU110SN04 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC130SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | TSM043NB04CZ C0G (TSC) | TO-220-3 | 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJAC140SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC110SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | YJG200G04AR (YJ) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG130G04A (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | JMTC035N04A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJP140N04 (JSCJ) | TO-220-3 | 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | JMGG020V04A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE40H12K
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 21.04.2023
Размер: 617.8 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.