NCE4963

Pb Free Product NCE4963 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 Description The NCE4963 uses advanced trench technology to provide D2 G2 G1 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a S1 load switch or in PWM applications. S2 Schematic diagram General Features ● VDS = -20V,ID...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJS2022A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
P- WMS15P02T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
P- IRF7404TR (YOUTAI)
 

IRF7404TR (INFIN)
SO-8 SOIC8 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE4963 

NCE4963 NCEPOWER | Alldatasheet DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 401.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.