YJS2022A

Yangjie
RoHS YJS2022A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= -4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -2.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -1.8V) -20V -13A ＜17mohm ＜20mohm ＜26mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Po...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4435 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- CJQ9435 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
P- CJQ16P03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
P- WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WMS15P02T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE9435 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- NCE4963 (NCE)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- JMTP085P02A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —
P- JMTP4953B (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —
P- IRF7404TR (YOUTAI)
 

IRF7404TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7410GTRPBF (JSMICRO)
 

IRF7410GTRPBF (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7204 (EVVO)
 

IRF7204 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- IRF7410 (EVVO)
 

IRF7410 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7410TR (JSMICRO)
 

IRF7410TR (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS2022A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= -4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -2.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -1.8V) -20V -13A ＜17mohm ＜20mohm ＜26mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS -20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current -13 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A -10.4 Pulsed Drain Current A IDM -55 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 3.0 W RθJA 42 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS2022A F2 Q2022 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E641 Rev.3.0,18-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS2022AF2 

Microsoft Word - YJS2022A Rev3.0

Дата модификации: 13.10.2020

Размер: 1.2 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)