Вход / Регистрация

YJS2022A

SUNCO
RoHS YJS2022A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= -4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -2.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -1.8V) -20V -13A ＜17mohm ＜20mohm ＜26mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Po...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4435 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- CJQ9435 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
P- CJQ16P03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
P- WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WMS15P02T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE9435 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- NCE4963 (NCE)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- JMTP085P02A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —
P- JMTP4953B (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —
P- IRF7404TR (YOUTAI)
 

IRF7404TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7410GTRPBF (JSMICRO)
 

IRF7410GTRPBF (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7204 (EVVO)
 

IRF7204 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- IRF7410 (EVVO)
 

IRF7410 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7410TR (JSMICRO)
 

IRF7410TR (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS2022A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= -4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -2.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -1.8V) -20V -13A ＜17mohm ＜20mohm ＜26mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS -20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current -13 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A -10.4 Pulsed Drain Current A IDM -55 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 3.0 W RθJA 42 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS2022A F2 Q2022 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E641 Rev.3.0,18-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS2022AF2 

Microsoft Word - YJS2022A Rev3.0

Дата модификации: 13.10.2020

Размер: 1.2 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)