NCE603S

NCE
Pb Free Product NCE603S http://www.ncepower.com NCE 60V Complementary MOSFET Description The NCE603S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features N channel ● VDS =60V,ID =6A Schematic diagram RDS(ON) <60mΩ @ VGS=10V p channel ● VDS =-60V,ID =-6A RDS(ON) <80mΩ @ VGS=-1...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRF7343TR (YOUTAI)
 

IRF7343TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- CRMM4978C (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE603S http://www.ncepower.com NCE 60V Complementary MOSFET Description The NCE603S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features N channel ● VDS =60V,ID =6A Schematic diagram RDS(ON) <60mΩ @ VGS=10V p channel ● VDS =-60V,ID =-6A RDS(ON) <80mΩ @ VGS=-10V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation Marking and pin assignment ● Special process technology for high ESD capability Application ● H-bridge ● Inverters SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE603S NCE603S SOP-8 Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-Source Voltage VDS 60 -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 ±20 V 6 -6 4.2 -4.2 IDM 30 -30 A PD 2 2 W TJ,TSTG -55 To 175 -55 To 175 ℃ Continuous Drain Current TC=25℃ ID TC=100℃ Pulsed Drain Current (Note 1) Maximum Power Dissipation TC=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range A Thermal Characteristic N-channel P-channel Thermal Resistance,Junction-to- Ambient (Note 2) RθJA 75 ℃/W Thermal Resistance,Junction-to- Ambient (Note 2) RθJA 50 ℃/W Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd Page 1 v1.0 PDF
Документация на NCE603S 

DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 436.4 Кб

10 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)