CRMM4978C

CR Micro
CRMM4978C 60V Complementary Power MOSFET 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Symbol N-Ch P-Ch VDS 60V -60V RDS(on) typ. 38mΩ 53mΩ ID 5A -4.5A • Extremely low on-resistance RDS(on) • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) • Complementary N-ch and P-ch MOSFET Applications 100% DVDS Tested 100% Avalanche Tested • Motor drive Pac...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRF7343TR (YOUTAI)
 

IRF7343TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- NCE603S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRMM4978C 60V Complementary Power MOSFET 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Symbol N-Ch P-Ch VDS 60V -60V RDS(on) typ. 38mΩ 53mΩ ID 5A -4.5A • Extremely low on-resistance RDS(on) • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) • Complementary N-ch and P-ch MOSFET Applications 100% DVDS Tested 100% Avalanche Tested • Motor drive Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRMM4978C CRMM4978C SOP-8 Taping N/A N/A 4000pcs Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Drain-source voltage Maximum Unit N-Ch P-Ch VDS 60 -60 V Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) ID 5 -4.5 A Continuous drain current TC = 25°C (Package limit) ID 5 -4.5 A Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) ID pulse 21 -18 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS 42 72 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 ±20 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 2.2 2.2 W Operating junction and storage temperature Rev1.1 Tj , T stg ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited -55...+150 °C Page 1 PDF
Документация на CRMM4978C 

Дата модификации: 29.01.2023

Размер: 1.11 Мб

11 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)