NCE60P03R

NCE
NCE60P03R http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P03R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. Application General Features ● VDS =-60V,ID =-3A RDS(ON) <170mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <220mΩ @ VGS=-4.5V ● High dens...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJM05GP06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- BSP170P (JSMICRO)
 
— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE60P03R http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P03R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. Application General Features ● VDS =-60V,ID =-3A RDS(ON) <170mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <220mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Load switch ● Fully characterized avalanche voltage and current ● PWM application ● Excellent package for good heat dissipation ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! SOT-223-3L Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE60P03R NCE60P03R SOT-223-3L Ø330mm 16mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous (TA=25℃) ID -3 A Drain Current-Continuous (TA=70℃) ID -2.4 A Pulsed Drain Current IDM -12 A PD 2.75 W EAS 24 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Thermal Resistance, Junction-to-Ambient(Note 2) RθJA 45.5 ℃/W Thermal Resistance, Junction-to-Case RθJC 35 ℃/W (Note 1) Maximum Power Dissipation Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCE60P03R 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 12.12.2022

Размер: 656.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)