YJM05GP06A
RoHS
YJM05GP06A
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
-60 V
-5 A
<55 mΩ
<70 mΩ
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● Extremely low switching loss
● Excellent stability and uniformity
● Moisture Sensitivity Level 1
● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating
● Halogen F...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-223
- Норма упаковки: 10000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-223 |
---|
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | WMT04P06TS (WAYON) | — | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P= | NCE60P04R (NCE) | SOT-223 | в ленте 50 шт | ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.