NCE60P05S

NCE
NCE60P05S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P05S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features ● VDS =-60V,ID =-5A RDS(ON) <65mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <85mΩ @ VGS=-4.5V ● High d...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS05P06T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF7342TR (YOUTAI)
 

IRF7342TR (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE60P05S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P05S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features ● VDS =-60V,ID =-5A RDS(ON) <65mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <85mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellent package for good heat dissipation Marking and pin assignment Application ● Load switch ● PWM application Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE60P05S NCE60P05S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -5 A Pulsed Drain Current IDM -30 A Maximum Power Dissipation PD 3 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 41.7 ℃/W Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance, Junction-to-Ambient(Note 2) Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit BVDSS VGS=0V ID=-250μA -60 - - V Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCE60P05S 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 14.09.2022

Размер: 571 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)