WMS05P06T1

WMS05P06T1 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS05P06T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and D yet maintain superior switching performance. S Features ⚫ S S G VDS = -60V, ID = -4.5A SOP-8L RDS(on) < 90mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 128mΩ @ VGS = -4.5V ⚫ Extremely Low Switching L...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRF7342TR (YOUTAI)
 

IRF7342TR (INFIN)
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
P- NCE60P05S (NCE)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.