NCEP018N60

NCEP018N60,NCEP018N60D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and sync...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
A+ YJG210G06AR (YJ)
 
в ленте 80 шт
 
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0601ATLQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ NCEP60T20 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 30 шт
 
±
A+ NCEP60T20D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP60T20T (NCE)
 
TO-247-3 ±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP018N60,NCEP018N60D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and General Features ● VDS =60V,ID =210A RDS(ON)=1.7mΩ , typical (TO-220) @ VGS=10V RDS(ON)=1.5mΩ , typical (TO-263) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification TO-220 TO-263 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP018N60 NCEP018N60 TO-220 - - - NCEP018N60D NCEP018N60D TO-263 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous (TC=25℃) ID (TC=25℃) 210 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID ((TC=100℃) 157 A IDM 840 A PD(TC=25℃) 255 W 1.7 W/℃ EAS 2332 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.59 ℃/W Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation(TC=25℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V1.0 PDF
Документация на NCEP018N60 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 23.08.2022

Размер: 686.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.