NCEP60T20D

NCE
Pb Free Product NCEP60T20D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP60T20D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт — — —
A+ NCEP018N60 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP60T20LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP60T20 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ CRSQ024N08N (CRMICRO)
 
TO-247-3 — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP60T20D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP60T20D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic diagram General Features ● VDS =60V,ID =200A RDS(ON)=1.8mΩ (typical) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product ● Very low on-resistance RDS(on) TO-263T-2L top view ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Application 100% UIS TESTED! ● DC/DC Converter 100% ΔVds TESTED! ●Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP60T20D NCEP60T20D TO-263-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 200 A ID (100℃) 150 A Pulsed Drain Current IDM 800 A Maximum Power Dissipation PD 255 W 1.7 W/℃ EAS 2000 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.59 ℃/W Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP60T20D 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 29.03.2022

Размер: 942.8 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)