NCEP01T13A

NCE POWER Semiconductor
NCEP01T13A http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP01T13A uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP01T18T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP033N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP033N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP028N12LL (NCE)
 
180 шт
 
±
A+ NCEP026N10T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP026N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP026N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP023N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP01T13AD (NCE)
 
TO263
 
±
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ NCEP039N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP01T13A http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP01T13A uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic diagram General Features ● VDS =100V,ID =135A RDS(ON) <4.6mΩ @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Marking and pin assignment Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-220-3L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP01T13A NCEP01T13A TO-220-3L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous (Silicon Limited) ID 143 A Drain Current-Continuous (Package Limited) ID 135 A ID (100℃) 102 A Pulsed Drain Current IDM 500 A Maximum Power Dissipation PD 210 W 1.4 W/℃ EAS 1050 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP01T13A 

Microsoft Word - NCEP01T13A data sheet.doc

Дата модификации: 22.01.2021

Размер: 417 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.