NCEP023N85

NCEP023N85, NCEP023N85D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =85V,ID =260A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=2.0mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low combi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±
A+ NCEP85T25VD (NCE)
 
 
±
A+ NCEP85T35T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ CRSZ025N10NZ (CRMICRO)
 
 
A+ CRST025N08N (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
A+ NCEP023N85T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
±
A+ NCEP023N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
в ленте 10 шт
 
±
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP018N85LL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP016N85LL (NCE)
 
30 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP023N85, NCEP023N85D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =85V,ID =260A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=2.0mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)=1.8mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification TO-220 TO-263 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP023N85 NCEP023N85 TO-220 - - - NCEP023N85D NCEP023N85D TO-263 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 85 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 260 A ID (100℃) 195 A Pulsed Drain Current IDM 1000 A Maximum Power Dissipation PD 300 W 2 W/℃ EAS 2880 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V3.0 PDF
Документация на NCEP023N85 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 12.08.2021

Размер: 940.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.