NCEP026N10T
NCEP026N10T
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET
Description
The series of devices uses Super Trench II technology that is
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency
switching performance. Both conduction and switching power
losses are minimized due to an extremely low combination of
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching
and synchronous rec...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-247-3
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-247-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 11
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMK028N10HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | YJN280G10H (YJ) | TO-247-3 |
|  |  |  |  |  | — | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCEP028N12LL (NCE) | — | 180 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCEP023N10T (NCE) | TO-247-3 | 1 шт |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | |
| A+ | NCEP023N10LL (NCE) | — |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | |||
| A+ | NCEP023N10D (NCE) | TO263 | 6 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCEP020N10LL (NCE) | — | в ленте 10 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCEP01T30T (NCE) | TO-247-3 |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | JMSH1002AS-U (JIEJIE) | TO2473 | в линейках 30 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMM028N10HG2 (WAYON) | TO263 | 5 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | CRSZ025N10N (CRMICRO) | — |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCEP026N10T
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 09.12.2022
Размер: 1.47 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.