NCEP11N10AK

NCEP11N10AK http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP11N10AK uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =55A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=11.5mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=14.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses ar...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJD65G10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
P- WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
P- JMSH1010AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- IRFR4510TR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CJU80SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ WMB099N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
A+ YJB70G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ CJU65SN10L (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ WMK080N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 1 шт
 
A+ CJAC80SN10 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC90SN12 (JSCJ)
 
 
±
A+ YJG60G10B (YJ)
 
 
A+ YJG90G10A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ NCEP080N10 (NCE)
 
TO-220-3 13 шт
 
±
A+ YJP70G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ JMSL1010AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB080N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт

Файлы 1

показать свернуть
NCEP11N10AK http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP11N10AK uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =55A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=11.5mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=14.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on) and synchronous rectification. ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification TO-252-2L Top View Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP11N10AK NCEP11N10AK TO-252-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 55 A ID (100℃) 39 A Pulsed Drain Current IDM 220 A Maximum Power Dissipation PD 115 W 0.77 W/℃ EAS 156 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 1.3 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP11N10AK 

Microsoft Word - NCEP11N10AK data sheet.doc

Дата модификации: 09.12.2019

Размер: 364 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.