CJU80SN10

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU80SN10  N-Channel Power MOSFET  RDS(on)TYP V(BR)DSS 2Pȍ#9 10 9 88Pȍ#4.59 ID TO-252-2L 8$ DESCRIPTION  *$7(  '5$,1  6285&( The CJ886110 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of ap...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJB110SN10

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2522L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ CJAC90SN12 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC110SN10L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB060N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — —
A+ STH150N10F7-2 (ST)
 
H2PAK2 1000 шт
 
 — —
A+ STH110N10F7-2 (ST)
 
H2PAK2 1000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STB120NF10T4 (ST)
 
TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB —
A+ STB100N10F7 (ST)
 
TO263 1000 шт
 
 — —
A+ STP180N10F3 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 120A TO220 — Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ STP150N10F7 (ST)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —
A+ STP110N10F7 (ST)
 
TO220AB 50 шт MOSFET N CH 100V 110A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STP100N10F7 (ST)
 
TO220AB 50 шт MOSFET N CH 100V 80A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ STD100N10F7 (ST)
 
TO252 2500 шт MOSFET N CH 100V 80A DPAK Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ STL110N10F7 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STL100N10F7 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 — Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ CSD19532Q5B (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 100V, 4.0 mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт — — — — — —
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в коробках 1000 шт — — —
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU80SN10  N-Channel Power MOSFET  RDS(on)TYP V(BR)DSS 2Pȍ#9 10 9 88Pȍ#4.59 ID TO-252-2L 8$ DESCRIPTION  *$7(  '5$,1  6285&( The CJ886110 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications   FEATURE  ([FHOOHQWSDFNDJHIRUJRRGKHDWGLVVLSDWLRQ 8OWUDORZJDWHFKDUJH   /RZUHYHUVHWUDQVIHUFDSDFLWDQFH )DVWVZLWFKLQJFDSDELOLW\   $YDODQFKHHQHUJ\VSHFLILHG APPLICATION  3RZHUVZLWFKLQJDSSOLFDWLRQ MARKING EQUIVALENT CIRCUIT U80SN10 XXXX  886110 'HYLFHFRGH 6ROLGGRW *UHHQPROGLQJFRPSRXQGGHYLFH  LIQRQHWKHQRUPDOGHYLFH ;;;; &RGH MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit 'UDLQ6RXUFH9ROWDJH 9'6 100 9 *DWH6RXUFH9ROWDJH 9*6 “ 9 &RQWLQXRXV'UDLQ&XUUHQW ,' 80 $ 3XOVHG'UDLQ&XUUHQW ,'0 320 $ 6LQJOH3XOVHG$YDODQFKH(QHUJ\ ($6 280 P- 3RZHU'LVVLSDWLRQ 3' 125 : 7KHUPDO5HVLVWDQFHIURP-XQFWLRQWR$PELHQW 5ș-$  ℃: 7KHUPDO5HVLVWDQFHIURP-XQFWLRQWR&DVH 5ș-& 1.0 ℃: TJ Tstg -55~+150 ℃ 2SHUDWLQJ-XQFWLRQDQG6WRUDJH7HPSHUDWXUH5DQJH ZZZMVFMHOHFFRP  Rev - 21 PDF
Документация на CJU80SN10 

Дата модификации: 05.02.2021

Размер: 4.48 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    24 января 2023
    новость

    Полупроводниковая микроэлектроника JSCJ для беспроводных решений, систем безопасности и других применений

    КОМПЭЛ начал сотрудничество с компанией Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ), основной продукцией которой являются дискретные полупроводниковые компоненты и интегральные микросхемы. JSCJ основан в 2018 году в городе Нанкин (Китай) на базе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)