CJU80SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU80SN10  N-Channel Power MOSFET  RDS(on)TYP V(BR)DSS 2Pȍ#9 10 9 88Pȍ#4.59 ID TO-252-2L 8$ DESCRIPTION  *$7(  '5$,1  6285&( The CJ886110 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of ap...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2522L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM043N10HGD (WAYON) TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMM043N10HGS (WAYON) TO263 в ленте 800 шт
 
A+ CJAC90SN12 (JSCJ)
 
±
A+ CJAC110SN10L (JSCJ)
 
±
A+ WMB080N10HG2 (WAYON) PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB060N10LGS (WAYON) PDFN8L5X6
 
A+ STH150N10F7-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
A+ STH110N10F7-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STB120NF10T4 (ST) TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STB100N10F7 (ST) TO263 1000 шт
 
A+ STP180N10F3 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 120A TO220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STP150N10F7 (ST) TO220AB 50 шт
 
A+ STP110N10F7 (ST) TO220AB 50 шт MOSFET N CH 100V 110A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STP100N10F7 (ST) TO220AB 50 шт MOSFET N CH 100V 80A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STD100N10F7 (ST) TO252 2500 шт MOSFET N CH 100V 80A DPAK Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STL110N10F7 (ST) POWERFLAT 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STL100N10F7 (ST) POWERFLAT 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD19532Q5B (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
100V, 4.0 mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ WMK072N12HG2 (WAYON) TO-220-3 в линейках 50 шт
A+ WMK060N10HGS (WAYON) TO-220-3 в коробках 1000 шт
A+ WMB043N10HGS (WAYON) PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO080N10HG2 (WAYON) TO252 1 шт
 
A+ WMM060N10HGS (WAYON) TO263 в ленте 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
24 января 2023
новость

Полупроводниковая микроэлектроника JSCJ для беспроводных решений, систем безопасности и других применений

КОМПЭЛ начал сотрудничество с компанией Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ), основной продукцией которой являются дискретные полупроводниковые компоненты и интегральные микросхемы. JSCJ основан в 2018 году в городе Нанкин (Китай) на базе... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.