CJU80SN10
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJU80SN10
N-Channel Power MOSFET
RDS(on)TYP
V(BR)DSS
2Pȍ#9
10 9
88Pȍ#4.59
ID
TO-252-2L
8$
DESCRIPTION
*$7(
'5$,1
6285&(
The CJ886110 uses shielded gate trench technology
and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.
It can be used in a wide variety of ap...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2522L
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2522L | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMM043N10HGD (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMM043N10HGS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAC90SN12 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC110SN10L (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB080N10HG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB060N10LGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | ||||||||||||
A+ | STH150N10F7-2 (ST) | H2PAK2 | 1000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | STH110N10F7-2 (ST) | H2PAK2 | 1000 шт | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STB120NF10T4 (ST) | TO263 | в ленте 1000 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | — | |||||||||||
A+ | STB100N10F7 (ST) | TO263 | 1000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | STP180N10F3 (ST) | TO220AB | в линейках 50 шт |
| — | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | ||||||||||
A+ | STP150N10F7 (ST) | TO220AB | 50 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | STP110N10F7 (ST) | TO220AB | 50 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||
A+ | STP100N10F7 (ST) | TO220AB | 50 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | |||||||||||
A+ | STD100N10F7 (ST) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | |||||||||||
A+ | STL110N10F7 (ST) | POWERFLAT | 3000 шт | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STL100N10F7 (ST) | POWERFLAT | 3000 шт | — | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||
A+ | CSD19532Q5B (TI) | DFN-8 TDFN8 | 2500 шт | 100V, 4.0 mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET Power MOSFET | — | ||||||||||||
A+ | WMK072N12HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |
| — | — | — | — | — | — | |||||||
A+ | WMK060N10HGS (WAYON) | TO-220-3 | в коробках 1000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | WMB043N10HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMO080N10HG2 (WAYON) | TO252 | 1 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMM060N10HGS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.