NCEP4085EG

NCE
NCEP4085EG http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP4085EG uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ TSM025NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TSM038N04LCP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
 — —
A+ TSM033NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TSM033NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ TSM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —
A+ CJU110SN04 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 — — — — —
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ TSM043NB04CZ C0G (TSC)
 
TO-220-3 50 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP4085EG http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP4085EG uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It is ESD protested. General Features Schematic Diagram ● VDS =40V,ID =85A RDS(ON)=3.7mΩ (typical) @ VGS=10V D D S S D D D D D D RDS(ON)=5.0mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested S G G S ● ESD protection : HBM Class 2 Application Top View S S Bottom View 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP4085EG NCEP4085EG DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 85 A ID (100℃) 59.5 A Pulsed Drain Current (Package Limited) IDM 260 A Maximum Power Dissipation PD 65 W 0.52 W/℃ EAS 288 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 1.92 ℃/W Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V3.0 PDF
Документация на NCEP4085EG 

Microsoft Word - NCEP4085EG data sheet.doc

Дата модификации: 18.06.2021

Размер: 400.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)