CJP140N04

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP140N04 V(BR)DSS 40V N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP ID 2.8mΩ@10V 140A TO-220-3L-C 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 1 2 3 DESCRIPTION The CJP140N04 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 35

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE40H12 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
P- WMK80N04T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- NCE40H21 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P- WMK120N04TS (WAYON)
 
в линейках 50 шт
 
P- NCE30H10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
P- YJP200G06B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 3000 шт
 
P- IRF2804PBF-VB (VBSEMI)
 
 
P- NCEP40T20A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
P- IRF1404Z (EVVO)
 

IRF1404Z (INFIN)
TO-220-3 1000 шт
 
P- IRF1404ZPBF-VB (VBSEMI)
 
 
P- WMK048NV6HG4 (WAYON)
 
 
P- IRL2203N (EVVO)
 

IRL2203N (INFIN)
TO-220-3 1000 шт
 
P- CS90N03A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
P- CS1404A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- HGP028N04A (CRMICRO)
 
TO220AB
 
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0402BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ TSM025NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ TQM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ JMSL0401AG (JIEJIE)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
23 февраля 2024
новость

Транзисторы и MOSFET-сборки JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ

Китайская компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) с 2018 года специализируется на исследованиях, разработках, выпуске и продаже полупроводников. Этот производитель поставляет на рынок качественные и надежные пластины и готовые... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.