NCEP40T13GU

Pb Free Product NCEP40T13GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP40T13GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequenc...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ NCEP40T20A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ NCEP40T17AG (NCE)
 
 
±
A+ NCEP40T17A (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP40T15GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP40T15AGU (NCE)
 
15 шт
 
±
A+ NCEP40T15A (NCE)
 
TO-220-3 40 шт
 
±
A+ NCEP40T14G (NCE)
 
 
±
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ JMSL0402BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
A+ NCEP40T20ALL (NCE)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP40T13GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP40T13GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic Diagram General Features ● VDS =40V,ID =130A RDS(ON)=1.8mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=2.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Top View Application Bottom View 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P40T13GU NCEP40T13GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 130 A ID (100℃) 100 A Pulsed Drain Current IDM 520 A Maximum Power Dissipation PD 130 W 1.04 W/℃ EAS 600 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 0.96 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP40T13GU 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 13.07.2022

Размер: 857.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.