NCEP85T14

NCEP85T14 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP85T14 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synch...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
в ленте 3000 шт
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±
A+ NCE85H25T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ NCEP033N85D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP033N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP033N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP030N85LL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP028N85D (NCE)
 
TO263 8 шт
 
±
A+ NCEP028N85 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP026N10T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP026N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP026N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP01T18T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
±
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ JMSH1004BC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ NCEP035N85GU (NCE)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP85T14 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP85T14 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic diagram General Features ● VDS =85V,ID =140A RDS(ON) <4.1mΩ @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Marking and pin assignment ● 100% UIS tested Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% UIS TESTED! TO-220-3L top view 100% ∆Vds TESTED! Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP85T14 NCEP85T14 TO-220-3L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 85 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 140 A ID (100℃) 99 A Pulsed Drain Current IDM 420 A Maximum Power Dissipation PD 200 W 1.3 W/℃ EAS 1000 mJ Drain Source voltage slope, VDS ≤68V, dv/dt 50 V/ns Reverse diode dv/dt, VDS ≤68 V, ISD<ID dv/dt 15 V/ns TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v2.0 PDF
Документация на NCEP85T14 

Microsoft Word - NCEP85T14 data sheet.doc

Дата модификации: 31.07.2020

Размер: 386 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.