NCE85H25T
NCE85H25T
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE85H25T uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS = 85V,ID =250A
RDS(ON) <3.5mΩ @ VGS=10V (Typ:2.8mΩ)
● Special process technology for high ESD capability
● High density ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 600 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-247-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 26
показать свернутьФайлы 1
показать свернуть
Документация на NCE85H25T
NCE85H25T NCEPOWER | Alldatasheet NCE85H25T Datasheet search, databook, component, free download site
Дата модификации: 15.11.2023
Размер: 383.3 Кб
7 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.