2SC2883Y

Shikues
2SC2883 NPN-General use transistor 1W 、1.5A、30V Applications： Can be used for switching and amplifying in various electrical and 4 electronic equipments MAX RATINGS 1 parameters symbol rating collector-emitter voltage（IB=0） VCEO 30 unit V collector-base voltage（IE=0） VCBO 40 V emitter - base voltage（IC=0） VEBO 6 V IC 1.5 A Total power dissipation (TA=25℃) Ptot ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —
A+ D882 SOT-223 160-320 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ 2SD1802T (SHIKUES)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ 2SD2150R (SHIKUES)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ LBSS4240LT1G (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ LBSS4250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LBSS4350SY3T1G (LRC)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
2SC2883 NPN-General use transistor 1W 、1.5A、30V Applications： Can be used for switching and amplifying in various electrical and 4 electronic equipments MAX RATINGS 1 parameters symbol rating collector-emitter voltage（IB=0） VCEO 30 unit V collector-base voltage（IE=0） VCBO 40 V emitter - base voltage（IC=0） VEBO 6 V IC 1.5 A Total power dissipation (TA=25℃) Ptot 1 W Max junction temperature Tjm 150 ℃ Storage temperature Tstg -55～150 ℃ Collector current * 2 3 SOT-89 1：Base 2：Collector Collector 33：Emitter * mounted on printed circuit board. ELECTRONIC CHARACTERISTIC （Unless （ otherwise specified TA=25℃） parameters symbol collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO collector- base breakdown voltage emitter - base breakdown voltage Forward current transfer ratio1) min typ max unit IC=2mA，IB=0 30 — — V V(BR)CBO IC=100µA，IE=0 40 — — V V(BR)EBO IE=100µA，IC=0 6 — — V 2SC2883O 120 hFE VCE=1V；IC=100mA collector-base cutoff current ICBO emitter-base cutoff current IEBO 2SC2883Y collector-emitter saturation voltage1) — — 320 VCB=35V，IE=0 — — 100 nA VEB=6V，IC=0 — — 100 nA VCE（sat） IC=800mA，IB=80mA — — 0.5 V fT IC=50mA，VCE=10V， f=100MHz — 100 — MHz pulse method：tw:300µs，duty ratio≤2％ ％. REV.08 200 160 Transition frequency 1) Test condition 1 of 2 PDF
Документация на 2SC2883 

Subject:

Дата модификации: 26.04.2017

Размер: 268.9 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)