BSS84W
BSS84W
POWER MOSFET WAFER DATASHEET
Feature
60V P-Channel MOSFET High Dense Design.
RDS(ON) =4.0Ω(typ.) @ VGS=-10V
Reliable and Rugged
ESD Protected.
Applications
Load Switch
MARKING: PD
Electrical Characteristics
1. Absolute Maximum Ratings
Symbol
(Wafer Type)
(TA=25°C Unless Otherwise Noted)
Parameter
VDSS
Drain-Source Voltage
-60
VGSS
Gate-Source Voltage
±20
ID
IDM
IS
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | BSS84W (YJ) | SOT-323-3 | в ленте 3000 шт |
| — | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.