BSS84W

Yangjie
RoHS BSS84W COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -60 V -0.17 A ＜8 ohm ＜9.9 ohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(ON) ● Low Gate Charge Applications ● Video monitor ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symb...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= BSS84W (SHIKUES)
 
SOT-323-3 ± — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS BSS84W COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -60 V -0.17 A ＜8 ohm ＜9.9 ohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(ON) ● Low Gate Charge Applications ● Video monitor ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS -60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current -0.17 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A -0.14 Pulsed Drain Current A IDM 0.68 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 0.15 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 833 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS84W F2 B84. 3000 30000 120000 7“ reel 1/5 S-E085 Rev3.1,05-Dec-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS84W 

Microsoft Word - BSS84W Rev3.1

Дата модификации: 09.12.2023

Размер: 1017 Кб

5 стр.

RoHS BSS84W COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -60 V -0.17 A ＜8 ohm ＜9.9 ohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(ON) ● Low Gate Charge ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Video monitor ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS -60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current -0.17 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A -0.14 Pulsed Drain Current A IDM 0.68 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 0.15 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 833 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS84W F2 B84. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E085 Rev3.2,21-Feb-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS84W 

Дата модификации: 21.02.2023

Размер: 580.4 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)