BSS84W

SUNCOYJ
RoHS BSS84W COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -60 V -0.17 A ＜8 ohm ＜9.9 ohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(ON) ● Low Gate Charge Applications ● Video monitor ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symb...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= BSS84W (SHIKUES)
 
SOT-323-3 ± — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS BSS84W COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -60 V -0.17 A ＜8 ohm ＜9.9 ohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(ON) ● Low Gate Charge Applications ● Video monitor ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS -60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current -0.17 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A -0.14 Pulsed Drain Current A IDM 0.68 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 0.15 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 833 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS84W F2 B84. 3000 30000 120000 7“ reel 1/5 S-E085 Rev3.1,05-Dec-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS84W 

Microsoft Word - BSS84W Rev3.1

Дата модификации: 09.12.2023

Размер: 1017 Кб

5 стр.

RoHS BSS84W COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -60 V -0.17 A ＜8 ohm ＜9.9 ohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(ON) ● Low Gate Charge ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Video monitor ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS -60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current -0.17 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A -0.14 Pulsed Drain Current A IDM 0.68 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 0.15 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 833 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS84W F2 B84. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E085 Rev3.2,21-Feb-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS84W 

Дата модификации: 21.02.2023

Размер: 580.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)