FMMT489

Shikues
FMMT489 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1 A Po...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ PMMT491A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ SS8050-H (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ 2SC3650 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ BCW66H (JSCJ)
 
— в ленте 1200 шт
 
 — — — —
A+ 2SD2153 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ PXT8050 200-350 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SC2883Y (SHIKUES)
 
SOT-89 1 шт — — — —
A+ 2SC2884Y (SHIKUES)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ 2SC4672R (SHIKUES)
 
— 340 шт — — — —
A+ 2SC5053R (SHIKUES)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ 2SD1000K (SHIKUES)
 
— — — — —

Файлы 1

показать свернуть
FMMT489 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1 A Power Dissipation Ptot 350 mW Tj 150 O Tstg - 55 to + 150 O Junction Temperature Storage Temperature Range C C Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Symbol Min. Max. Unit hFE 200 400 - - ICBO - 100 nA IEBO - 100 nA V(BR)CBO 40 - V V(BR)CEO 25 - V V(BR)EBO 6 - V VCE(sat) - 0.5 V VBE(sat) - 1.2 V VBE(on) - 1 V fT 120 - MHz DC Current Gain at VCE = 1 V, IC = 100 mA at VCE = 1 V, IC = 800 mA Collector Base Cutoff Current at VCB = 35 V Emitter Base Cutoff Current at VEB = 6 V Collector Base Breakdown Voltage at IC = 100 µA Collector Emitter Breakdown Voltage at IC = 2 mA Emitter Base Breakdown Voltage at IE = 100 µA Collector Emitter Saturation Voltage at IC = 800 mA, IB = 80 mA Base Emitter Saturation Voltage at IC = 800 mA, IB = 80 mA Base Emitter Voltage at VCE = 1 V, IC = 10 mA Gain Bandwidth Product at VCE = 10 V, IC = 50 mA REV.08 1 of 3 PDF
Документация на FMMT489 

Microsoft Word - MMBT8050-1.5A

Дата модификации: 06.10.2011

Размер: 426.8 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)