BSS123W RFG

Taiwan Semiconductor
BSS123W Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 100V, 160mA, 5Ω FEATURES ● ● ● ● ● KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low RDS(ON) to minimize conductive losses Logic level Low gate charge for fast power switching RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VDS 100 V RDS(on) (max) VGS = 10V 5 VGS = 4.5V 5.5 Qg APPLICATIONS 1.1 Ω nC ● Low Side Load ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ LBSS123LT1G (LRC)
 
— 1 шт
 
 ± — — Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —
A+ BSS123 (ANBON)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 300 шт
 
 — — — — —
A+ BSS123 (YJ)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ BSS123 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — —
A+ BSS123W (YJ)
 

BSS123W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
BSS123W Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 100V, 160mA, 5Ω FEATURES ● ● ● ● ● KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low RDS(ON) to minimize conductive losses Logic level Low gate charge for fast power switching RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VDS 100 V RDS(on) (max) VGS = 10V 5 VGS = 4.5V 5.5 Qg APPLICATIONS 1.1 Ω nC ● Low Side Load Switching ● Level Shift Circuits ● General Switch Circuits SOT-323 Note: MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current (Note 1) TA = 25°C TA = 125°C Pulsed Drain Current Total Power Dissipation ID IDM TA = 25°C TA = 125°C Operating Junction and Storage Temperature Range PD 160 74 0.64 298 60 mA A mW TJ, TSTG - 55 to +150 °C SYMBOL MAXIMUM UNIT RӨJA 420 °C/W THERMAL PERFORMANCE PARAMETER Junction to Ambient Thermal Resistance Thermal Performance Note: RӨJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistances. The casethermal reference is defined at the solder mounting surface of the drain pins. R ӨJC is guaranteed by design while RӨCA is 2 determined by the user’s board design. The RӨJA limit presented here is based on mounting on a 1 in pad of 2 oz copper. 1 Version: A2007 PDF
Документация на BSS123W RFG 

Дата модификации: 07.08.2020

Размер: 393.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WMB032N04LG2 (WAYON)