MBR20H200CTC0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 200 В, ток до 10 А, с падением напряжения 970 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBR20200CT (SHIKUES)
 
TO-220-3
 
 — — — — — — —
P= MBR10200 (ANBON)
 
TO220AC
 
 — — — — — — — — — — —
P= SBD20200CT (JSCJ)
 
TO2203L
 
 — — —
P= MBR20200CG (ANBON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
P- MBR20200CT-YC0G (TSC)
 
—
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P- MBR20200CTC0 (TSC)
 
—
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P- MBR20200CT (TSC)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P- MBR20H200CT (TSC)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P- MBR20200CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
MBR20H100CT thru MBR20H200CT Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Dual Common Cathode Schottky Rectifier FEATURES - Low power loss, high efficiency - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA TO-220AB Case: TO-220AB Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test, with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Mounting torque: 5 in-lbs maximum Weight: 1.8 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL MBR MBR MBR 20H100CT 20H150CT 20H200CT UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 100 150 200 V Maximum RMS voltage VRMS 70 105 140 V Maximum DC blocking voltage VDC 100 150 200 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 20 A Peak repetitive forward current (Rated VR, Square Wave, 20KHz) IFRM 20 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 150 A Peak repetitive reverse surge current (Note 1) IRRM Maximum instantaneous forward voltage (Note 2) IF= 10A, TJ=25℃ IF= 10A, TJ=125℃ IF= 20A, TJ=25℃ IF= 20A, TJ=125℃ VF Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ IR Voltage rate of change (Rated VR) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range dV/dt 1.0 0.5 0.85 0.88 0.75 0.75 0.95 0.97 0.85 0.85 5 2 10000 A V μA mA V/μs O RθJC 1.5 TJ - 55 to +175 O C - 55 to +175 O C TSTG C/W Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Document Number: DS_D1308064 Version: H13 PDF
Документация на MBR20H100CTC0G 

MBR20H100CT SERIES_H13.xls

Дата модификации: 14.03.2014

Размер: 200.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)