FDC6420C-NL-VB

VBSemi
FDC6420C-NL www.VBsemi.tw N- and P-Channel 2 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) N-Channel P-Channel 20 - 20 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.024 at VGS = 10 V 5.5 0.036 at VGS = 4.5 V 4.2 0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 0.083 at VGS = - 4.5 V - 2.5 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/9...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Альт. имя: FDC6420C (VBSEMI)
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
PA FDC6420C (VBSEMI)
 

FDC6420C (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= YJS2308A (YJ)
 
SOT236 3000 шт
 
 — —
A+ WM02DH50M3 (WAYON)
 
SOT236 в ленте 3000 шт — — — — — —
A+ NCE20NP1006S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
FDC6420C-NL www.VBsemi.tw N- and P-Channel 2 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) N-Channel P-Channel 20 - 20 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.024 at VGS = 10 V 5.5 0.036 at VGS = 4.5 V 4.2 0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 0.083 at VGS = - 4.5 V - 2.5 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S2 D1 TSOP-6 Top View 3 mm G1 1 6 D1 S2 2 5 S1 G2 3 4 D2 G2 G1 S1 D2 N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET 2.85 mm ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol N-Channel P-Channel Drain-Source Voltage VDS 20 - 20 Gate-Source Voltage VGS ± 20 ± 20 5.5 - 3.4 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b TA = 25 °C TA = 70 °C Pulsed Drain Current Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b Maximum Power Dissipationa, b TA = 25 °C TA = 70 °C Operating Junction and Storage Temperature Range ID 4.0 - 2.3 IDM 15 10 IS 1.05 A W 0.73 TJ, Tstg V - 1.05 1.15 PD Unit - 55 to 150 °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta Maximum Junction-to-Lead Symbol t≤5s Steady State Steady State RthJA RthJL Typical Maximum 93 110 130 150 75 90 Unit °C/W Notes: a. Surface Mounted on FR4 board. b. t ≤ 5 s. E-mail：China@VBsemi TEL:86-755-83251052 1 PDF
Документация на FDC6420C-NL 

FDC6420C-NL VBSEMI | Alldatasheet DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE

Дата модификации: 18.10.2023

Размер: 909.6 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)