IRF7341TRPBF

VBSemi
IRF7341TRPBF www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) • TrenchFET® power MOSFET • 100 % Rg and UIS tested 60 RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D1 8 D1 7 D2 6 D2 5 D1 G1 Top View 2 1 G1 S1 D2 G2 4 3 G2 S2 S1 S2 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRF7341TRPBF (INFIN)
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 4000  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
P= YJS05N06A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — —
P= STS4DNF60L (VBSEMI)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт — —
P= IRF7341TR (YOUTAI)
 

IRF7341TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= CJQ4828 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 110 шт
 
 ± — — — — —
P= JMTP330N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P= CS5N06AE-1 (CRMICRO)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ WMS090DNV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMS140DNV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRF7341TRPBF www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) • TrenchFET® power MOSFET • 100 % Rg and UIS tested 60 RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D1 8 D1 7 D2 6 D2 5 D1 G1 Top View 2 1 G1 S1 D2 G2 4 3 G2 S2 S1 S2 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL LIMIT Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ± 20 Continuous Drain Current TC = 25 °C TC = 125 °C Continuous Source Current (Diode Conduction) a Pulsed Drain Current b Single Pulse Avalanche Current Single Pulse Avalanche Energy Maximum Power Dissipation b L = 0.1 mH TC = 25 °C TC = 125 °C Operating Junction and Storage Temperature Range ID V 7 4 IS 3.6 IDM 28 IAS 18 EAS 16.2 PD UNIT 4 1.3 A mJ W TJ, Tstg -55 to +175 °C SYMBOL LIMIT UNIT RthJA 110 RthJF 34 THERMAL RESISTANCE RATINGS PARAMETER Junction-to-Ambient Junction-to-Foot (Drain) PCB Mount c °C/W Notes a. Package limited. b. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %. c. When mounted on 1" square PCB (FR4 material). E-mail：China@VBsemi TEL:86-755-83251052 1 PDF
Документация на IRF7341TRPBF 

Дата модификации: 08.05.2020

Размер: 952.3 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)