IRF8736TRPBF-VB

VBSemi
IRF8736TRPBF www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 30 ID (A)a RDS(on) (Ω) 0.004 at VGS = 10 V 18 0.005 at VGS = 4.5 V 16 Qg (Typ.) 6.8 nC • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-8 D S 1 8 D ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
P- WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- YJS18N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
P- NCE3018AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- IRF8736 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- CRTE045N03L (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP3008A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CJQ20N03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
A+ TSM042N03CS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
 — —
A+ IRF7842 (EVVO)
 

IRF7842 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRF8736TRPBF www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 30 ID (A)a RDS(on) (Ω) 0.004 at VGS = 10 V 18 0.005 at VGS = 4.5 V 16 Qg (Typ.) 6.8 nC • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-8 D S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D G Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Symbol VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C Limit 30 ± 20 18 16 ID IDM Pulsed Drain Current Continuous Source-Drain Diode Current TC = 25 °C TA = 25 °C IS Single Pulse Avalanche Current Avalanche Energy L = 0.1 mH IAS EAS Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C PD TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range Unit V 15b, c 13b, c 50 3.8 A 2.1b, c 22 24 4.5 2.8 mJ 2.5b, c 1.6b, c - 55 to 150 W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambientb, d Maximum Junction-to-Foot (Drain) t ≤ 10 s Steady State Symbol RthJA RthJF Typical 38 22 Maximum 50 28 Unit °C/W Notes: a. Base on TC = 25 °C. b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 10 s. d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W. 1 PDF
Документация на IRF8736TRPBF-VB 

Дата модификации: 08.02.2023

Размер: 271.2 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)