WMS032N04LG2
WMS032N04LG2
40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
D
Description
D
D
nd
WMS032N04LG2 uses Wayon's 2 generation power trench MOSFET
D
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
S
resistance and yet maintain superior switching performance. This
S
S
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
G
SOP-8L
Features
⚫
VDS= 40V, ID ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOP8L
- Норма упаковки: 4000 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOP8L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | RS1G260MNTB (ROHM) | DFN-8 TDFN8 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMS032N04LG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 11.08.2022
Размер: 573.2 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.