WMS032N04LG2

WMS032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D nd WMS032N04LG2 uses Wayon's 2 generation power trench MOSFET D technology that has been especially tailored to minimize the on-state S resistance and yet maintain superior switching performance. This S S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G SOP-8L Features ⚫ VDS= 40V, ID ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CRTE045N03L (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
P= YJS18N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
P= WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
P= CJQ20N03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 250 шт
 
±
A+ LNB8404DT0AG (LRC)
 
DFN30308
 
±
A+ LNB84045DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8403DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LN7404DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7402DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN74012DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.