Вход / Регистрация

IRLML5203TRPBF

VBSemi
IRLML5203TRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 30 RDS(on) () Typ. ID (A)a 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V -5 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 Qg (Typ.) 11.4 nC • For Mobile Computing G 1 3 S - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter S TO-236 (SOT-23) G APP...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IRLML9301TRPBF
  • Истор. имя: IRLML5203TRPBF (INFIN)
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= IRLML5203TRPBF (TECH PUB)
 

IRLML5203TRPBF (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= CJ2303 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
P= NCE3407 (NCE)
 
SOT-23-3
 
P= CJ2307 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= IRLML5203G (EVVO)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= WM03P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= CJ3407 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
P= WM03P27M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= NCE2303 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM04P50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= YJL02P03A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= IRLML5103TR (YOUTAI)
 

IRLML5103TR (INFIN) 		SOT-23-3 2320 шт
 
P- IRLML5203 (YOUTAI)
 

IRLML5203 (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJL2303A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CRTJ650P03L2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJL3407CQ (YJ)
 
—
 
P- YJL3407C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
IRLML5203TRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 30 RDS(on) () Typ. ID (A)a 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V -5 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 Qg (Typ.) 11.4 nC • For Mobile Computing G 1 3 S - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter S TO-236 (SOT-23) G APPLICATIONS D 2 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS - 30 Gate-Source Voltage VGS ± 20 TC = 70 °C - 5.1 ID TA = 25 °C - 5.4b,c - 4.3b,c TA = 70 °C Pulsed Drain Current (t = 100 µs) Continous Source-Drain Diode Current Maximum Power Dissipation IDM TC = 25 °C - 2.1 - 1b,c TC = 25 °C 2.5 TC = 70 °C 1.6 PD TA = 25 °C A - 18 IS TA = 25 °C W 1.25b,c 0.8b,c TA = 70 °C Operating Junction and Storage Temperature Range V - 5.6 TC = 25 °C Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Unit TJ, Tstg °C - 55 to 150 THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter b,d Maximum Junction-to-Ambient Maximum Junction-to-Foot (Drain) Symbol Typical Maximum t5s RthJA 75 100 Steady State RthJF 40 50 Unit °C/W Notes: a. Based on TC = 25 °C. b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 5 s. d. Maximum under steady state conditions is 166 °C/W. E-mail：China@VBsemi TEL:86-755-83251052 1 PDF
Документация на IRLML5203TRPBF 

IRLML5203TRPBF VBSEMI | Alldatasheet DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE

Дата модификации: 08.09.2023

Размер: 894.7 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.