YJL3407C

Yangjie
RoHS YJL3407C COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30 V -4.1 A ＜43 mΩ ＜65 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= NCE3407 (NCE)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —
P= CJ2303 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — —
P= CJ3407 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — — —
P= WM03P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= WM03P27M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= WM04P50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= YJL02P03A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= IRLML5203TRPBF (VBSEMI)
 

IRLML5203TRPBF (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= NCE2303 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P= CRTJ650P03L2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= IRLML5203G (EVVO)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRLML5203TRPBF (TECH PUB)
 

IRLML5203TRPBF (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRLML5103TR (YOUTAI)
 

IRLML5103TR (INFIN) 		SOT-23-3 2320 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJ2307 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- YJL3407CQ (YJ)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTL3401B (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJL3407C COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30 V -4.1 A ＜43 mΩ ＜65 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS -30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V -4.1 TA=25℃ Drain Current ID A -2.6 TA=100℃ Pulsed Drain Current A IDM -30 A 1.25 TA=25℃ Total Power Dissipation B PD W 0.5 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 80 100 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL3407C F2 3407C. 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E327 Rev1.0,26-Apr-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL3407C 

Дата модификации: 26.04.2023

Размер: 498.2 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)