WM02P06G

Document: W0803110, Rev: B WM02P06G G P-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= -20 V, ID = -0.66 A RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5 V ⚫ Enables High Density PCB Manufacturing ⚫ Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment ⚫ Advanced Trench Process Technology ⚫ ESD protected SOT-323 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-323 Package ⚫ Markin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJ3139KW (JSCJ)
 
SOT-323-3
P- YJL2101W (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.