WM02P06G
Document: W0803110, Rev: B
WM02P06G
G
P-Channel MOSFET
Features
⚫
VDS= -20 V, ID = -0.66 A
RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5 V
RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5 V
⚫
Enables High Density PCB Manufacturing
⚫
Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment
⚫
Advanced Trench Process Technology
⚫
ESD protected
SOT-323
Mechanical Characteristics
⚫
SOT-323 Package
⚫
Markin...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.