CJ3139KW
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJ3139KW
P-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
SOT-323
ID
RDS(on)MAX
95 (TYP) 18
1. GATE
2. SOURCE
GENERRAL DESCRIPTION
This Single P-Channel MOSFET has been designed using advanced
Power Trench process to optimize the RDS(ON).
FEATURE
z High-Side Switchin...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | YJL2101W (YJ) | SOT-323-3 | в ленте 3000 шт |
| — | — | |||||||||||
P- | WM02P06G (WAYON) | SOT-323-3 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJ3139KW
Microsoft Word - CJ3139KW_SOT-323_ A.doc
Дата модификации: 09.07.2020
Размер: 631.1 Кб
5 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.