WM03DH34M3

WAYON
WM03DH34M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features     Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel： VDS= 30V, ID = 3.4A RDS(on) < 47mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 65mΩ @ VGS = 4.5V P - Channel： VDS= -30V, ID = -2.3A RDS(on) < 88mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 138mΩ @ VGS = -4.5V Trench LV MOSFET Technology SOT-23-6L Mechanical Characteristics  SOT-23-6L Package  Marking : Maki...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM02P40M3
Внешний вид WM02P40M3
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJQ6601 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
A+ IRF9389 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7105TRPBF-VB (VBSEMI)
 
SO-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WM03DH34M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features     Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel： VDS= 30V, ID = 3.4A RDS(on) < 47mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 65mΩ @ VGS = 4.5V P - Channel： VDS= -30V, ID = -2.3A RDS(on) < 88mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 138mΩ @ VGS = -4.5V Trench LV MOSFET Technology SOT-23-6L Mechanical Characteristics  SOT-23-6L Package  Marking : Making Code  RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D2 D1 G1 D1 S1 D2 G1 S2 G2 G2 S2 S1 Device symbol SOT-23-6L(Top view) Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 ±20 V ID 3.4 -2.3 A IDM 13.6 -9.2 A Continuous Drain Current TA=25°C Pulsed Drain Current1 Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range PD 1.2 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 104 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction to Ambient2 Rev.D,2022 Doc:W0803130 1/8 PDF
Документация на WM03DH34M3 

Features Keywords:

Дата модификации: 21.04.2022

Размер: 602.4 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)