Вход / Регистрация

IRF7105TRPBF-VB

VBSemi
IRF7105TRPBF-VB www.VBsemi.com IRF7105TRPBF-VB Datasheet N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) N-Channel P-Channel ID (A)a Qg (Typ.) RDS(on) (Ω) 30 - 30 0.018 at VGS = 10 V 8e 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 e 0.024 at VGS = 4.5 V 8 0.040 atVGS = - 10 V - 8e e 0.044 at VGS = - 8 V -8 0.050 atVGS= - 4.5 V - 7.5 • Halogen-free According to IEC 61249-...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS4606B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ IRF7389 (EVVO)
 

IRF7389 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
A+ IRF9389 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ WMS08DH04T1 (WAYON)
 
SOP8L 10 шт
 
 — — — — — —
A+ CJQ4503 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ CJQ4614 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRF7105TRPBF-VB www.VBsemi.com IRF7105TRPBF-VB Datasheet N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) N-Channel P-Channel ID (A)a Qg (Typ.) RDS(on) (Ω) 30 - 30 0.018 at VGS = 10 V 8e 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 e 0.024 at VGS = 4.5 V 8 0.040 atVGS = - 10 V - 8e e 0.044 at VGS = - 8 V -8 0.050 atVGS= - 4.5 V - 7.5 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS 18.5 • Motor Drive • Mobile Power Bank D1 S2 SO-8 S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 G2 G1 S1 D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Parameter Symbol N-Channel P-Channel Drain-Source Voltage VDS 30 - 30 Gate-Source Voltage VGS ± 20 ± 20 8e - 8e 6.8 - 6.8 6.8b, c - 6.6b, c b, c - 5.3b, c - 40 TC = 25 °C Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) TC = 70 °C TA = 25 °C ID TA = 70 °C Source-Drain Current Diode Current TC = 25 °C TA = 25 °C Pulsed Source-Drain Current Single Pulse Avalanche Current Single Pulse Avalanche Energy Maximum Power Dissipation 5.4 40 IDM Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width) L = 0.1 mH 2.6 - 2.6 ISM - 1.6b, c - 40 IAS 10 - 20 EAS 5 20 TC = 25 °C 3.1 3.2 TC = 70 °C 2 2.1 2b, c 2b, c TA = 25 °C PD TA = 70 °C 1.28b, c TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range V 1.6b, c 40 IS Unit A mJ W 1.28b, c - 55 to 150 °C THERMAL RESISTANCE RATINGS N-Channel Parameter Maximum Junction-to-Ambient b, d Maximum Junction-to-Foot (Drain) Symbol Typ. Max. t ≤ 10 s RthJA 50 Steady State RthJF 30 P-Channel Typ. Max. 62.5 47 62.5 40 29 38 Unit °C/W Notes: a. Based on TC = 25 °C. b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 10 s. d. Maximum under steady state conditions is 120 °C/W (n-channel) and 110 °C/W (p-channel). e. Package limited. 1 PDF
Документация на IRF7105TRPBF-VB 

Дата модификации: 13.03.2024

Размер: 271.6 Кб

14 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)