WMB043N10HGS
WMB043N10HGS
100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB043N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET
D
D
D
D
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
D
s
ss
resistance and yet maintain superior switching performance. This
D
DD
G
G
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
PDFN5060-8L
Features
VDS=...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 1000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMK072N12HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB049N12HG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMB072N12HG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMB128N10T2 (WAYON) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB043N10HGS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 16.12.2022
Размер: 1.08 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.