WMB043N10HGS

WAYON
WMB043N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB043N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This D DD G G device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Features  VDS=...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WMB017N03LG2
Внешний вид WMB017N03LG2
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB043N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB043N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This D DD G G device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Features  VDS= 100V, ID = 120A RDS(on) < 5mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed D G Applications  DC/DC Converter  Power Management Switches  LED Backlighting S Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C, unless otherwise noted） Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TC=25°C 120 ID Continuous Drain Current TC=100°C A 76 Pulsed Drain Current1 IDM 480 A EAS 320 mJ PD 131.6 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 48 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 0.95 °C/W Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.2.0, 2021 Doc:W0803558 1/7 ss s PDF
Документация на WMB043N10HGS 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 16.12.2022

Размер: 1.08 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)