NCEP038N10GU

NCEP038N10GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The NCEP038N10GU uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switchi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC110SN10H (JSCJ)
 
 
±
P- CRSM038N10N4 (CRMICRO)
 
DFN-8 150 шт
 
P- WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P- YJG120G10AR (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
±
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ NCEP039N10M (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP039N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP035N12D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP033N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP033N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP028N12LL (NCE)
 
180 шт
 
±
A+ NCEP026N10T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP026N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP023N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ NCEP026N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP01T18T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP040N10D (NCE)
 
TO263
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP038N10GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The NCEP038N10GU uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features ● VDS =100V,ID =135A RDS(ON)=3.45mΩ (Typ.) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P038N10GU NCEP038N10GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 135 A ID (100℃) 108 A IDM 540 A PD 170 W 1.36 W/℃ EAS 750 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 0.74 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current (Note 1) Maximum Power Dissipation Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP038N10GU 

Microsoft Word - NCEP038N10GU data sheet.doc

Дата модификации: 22.04.2020

Размер: 359.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.