WMB093N15HG4

WMB093N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMB093N15HG4 uses Wayon's 4 generation power trench MOSFET th D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. D DD G G ss PDFN5060-8L Feature...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK161N15T2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ JMSH1507AGN-13 (JIEJIE)
 
DFN-8 VDFN8 в ленте 5000 шт
 
A+ NCEP15T14T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A+ JMSH1507AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMM161N15T2 (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ WMM071N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WML071N15HG2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.