WMM071N15HG2

WMM071N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM071N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device D is well suited for high efficiency fast switching applications. G Features ⚫ S TO-263 VDS= 150V, ID = 135A RDS(on) ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 37

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMK90N08TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= IRL3803S (EVVO)
 

IRL3803S (INFIN)
TO263 800 шт
 
P= WMM053N10HGS (WAYON)
 
TO263 800 шт
 
P= YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
P= CJB120SN10 (JSCJ)
 
TO2632L
 
±
P= WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= WMK053NV8HGS (WAYON)
 
TO-220-3 12 шт
 
P= IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= IRFS4410Z (EVVO)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= YJB120G08A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
P= WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= CJB110SN10 (JSCJ)
 
TO2632L ±
P= WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= CRTS260N10N (CRMICRO)
 
TO263
 
P= WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= WMK80N08TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- NCEP090N10GU (NCE)
 
 
±
P- IRFH5010TRPBF (JSMICRO)
 

IRFH5010TRPBF (INFIN)
в ленте 120 шт
 
P- JMSH1507AEQ (JIEJIE)
 
 
P- IRFH5010TRPBF-VB (VBSEMI)
 
 
P- JMSH1008AG (JIEJIE)
 
 
P- YJG18N10A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P- CJAC80SN10 (JSCJ)
 
100 шт
 
±
P- IRFS4310 (EVVO)
 

IRFS4310 (INFIN)
TO263 800 шт
 
P- NCEP15T14D (NCE)
 
TO263 5 шт
 
±
A+ CRST052N15N3Z (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 500 шт
 
A+ WMK161N15T2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ LN98N15AC (LRC)
 
TO-220-3
 
±
A+ WMM161N15T2 (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ NCEP15T14 (NCE)
 
TO-220-3 10 шт
 
±
A+ NCEP15T14LL (NCE)
 
 
±
A+ JMSH1504NTL-13 (JIEJIE)
 
TO2473 2000 шт
 
A+ NCEP15T14T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ LN98N15E2 (LRC)
 
TO263
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.