WMM071N15HG2

WMM071N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM071N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device D is well suited for high efficiency fast switching applications. G Features ⚫ S TO-263 VDS= 150V, ID = 135A RDS(on) ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMM053N10HGS (WAYON)
 
TO263 800 шт
 
P= YJB120G08A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ LN98N15AC (LRC)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP15T14LL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP15T14D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP15T14 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ JMSH1504NTL-13 (JIEJIE)
 
TO2473 2000 шт
 
A+ WMM161N15T2 (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ NCEP15T14T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ WMK161N15T2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 500 шт
 
A+ LN98N15E2 (LRC)
 
TO263
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.