WMJ40N50D1

WMJ40N50D1 WMPN40N50D1 500V 40A 0.1Ω N-ch Power MOSFET Description TO-247 WMOS D1 is Wayon’s 1 generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. TM st TAB G D Features  Typ.RDS(on)=0.1Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  Pb-free,Ha...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMJ36N60C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
P- NCE65NF099T (NCE)
 
 
P- NCEP025F90T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт ±
P- NCE65TF130T (NCE)
 
TO-247-3
 
P- NCE65NF068T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
P- CRJQ99N65G2BF (CRMICRO)
 
TO-247-3
 
P- JMH65R190AS (JIEJIE)
 
 
P- JMH65R110ASFD (JIEJIE)
 
 
P- IRFP4332 (EVVO)
 
TO-247-3 450 шт
 
A+ TSM60NB099CF C0G (TSC)
 
ITO220 50 шт
 
A+ TSM60NE084PW C0G (TSC)
 
TO-247-3 25 шт
A+ TSM60NE069PW C0G (TSC)
 
TO-247-3 25 шт
A+ TSM60NE048PW C0G (TSC)
 
TO-247-3 25 шт
A+ TSM60NB099PW C1G (TSC)
 
TO-247-3 25 шт
 
A+ WMJ38N60C2 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ ASZM060065P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ TSM60NB041PW C1G (TSC)
 
TO-247-3 25 шт
 
A+ ATSCM45G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ YJD206550NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ YJD206550NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ ATSCM30G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ WMM38N60C2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ IRFP460PBF-VB (VBSEMI)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
12 февраля 2026
статья

Высоковольтные VD- и SJ-MOSFET: современный выбор для источников питания и инверторов

Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Высоковольтные MOSFET–транзисторы являются ключевыми элементами современной силовой электроники. Они применяются в импульсных источниках питания, PFC–преобразователях, сварочных инверторах, зарядных... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.