WMK340N20HG2

WMK340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. GD Features ⚫ S TO-220 VDS = 200V, ID = 50A RDS(on) <...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF640NPBF-VB (VBSEMI)
 
в линейках 1000 шт
 
P- IRFB4620PBF (JSMICRO)
 

IRFB4620PBF (INFIN)
 
P- NCE0240 (NCE)
 
TO-220-3 20 шт
 
±
P- NCE0260 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
P- NCEP02580 (NCE)
 
TO-220-3
 
P- CS18N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
P- CS630A8H (CRMICRO)
 
TO220AB 1000 шт
 
P- NCE0224 (NCE)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
P- CS60N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- IRF630NPBF (JSMICRO)
 

IRF630NPBF (INFIN)
в линейках 50 шт
 
P- CS30N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
P- CS50N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- IRFB31N20DPBF (JSMICRO)
 

IRFB31N20DPBF (INFIN)
в линейках 100 шт
 
A+ WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.