CS30N20A8R

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS30N20 A8R General Description ： VDSS 200 V ID 30 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(T C=25℃) 150 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 70 mΩ CS30N20 A8R, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switch...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
P- IRFB4620PBF (JSMICRO)
 

IRFB4620PBF (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE0224 (NCE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — — —
P- IRFB4020PBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFB4620PBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ WMB340N20HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1600 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
A+ WML340N20HG2 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS30N20 A8R General Description ： VDSS 200 V ID 30 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(T C=25℃) 150 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 70 mΩ CS30N20 A8R, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤80mΩ) l Low Gate Charge (Typical Data:38nC) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:24pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（Tc= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS ID IDM a1 VGS EAS a2 dv/dt a3 PD Rating Units Drain-to-Source Voltage 200 V Continuous Drain Current 30 A Continuous Drain Current T C = 100 °C 18.9 A Pulsed Drain Current 120 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 1050 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation 150 W Derating Factor above 25°C 1.2 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ TJ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . P ag e 1 of 7 2017V01 PDF
Документация на CS30N20A8R 

CS30N20 A8R

Дата модификации: 18.01.2017

Размер: 389.6 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)