WML6N80D1

WAYON
WMO6N80D1 WML6N80D1 800V 6A 2.5Ω N-ch Power MOSFET Description TAB G D Features  Typ.RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  Pb-free，Halogen free SMPS  Charger  DC-DC G S D S RoHS Applications  TO-220F TO-252 WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high p...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMJ10N80D1 (WAYON)
 
— в линейках 30 шт — — —
A+ WML10N80D1 (WAYON)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ TSM80N950CI C0G (TSC)
 
TO220AC 50 шт
 
 — —
A+ CJPF08N90M1 (JSCJ)
 
TO-220F-B
 
 ± — — — —
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WML9N90D1 (WAYON)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMO6N80D1 WML6N80D1 800V 6A 2.5Ω N-ch Power MOSFET Description TAB G D Features  Typ.RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  Pb-free，Halogen free SMPS  Charger  DC-DC G S D S RoHS Applications  TO-220F TO-252 WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. compliant Absolute Maximum Ratings（TC=25℃） Parameter Symbol WMO6N80D1 WML6N80D1 Unit Drain-source voltage VDSS 800 V Gate-source voltage VGS ±30 V Continuous drain current ID 6 A Pulsed drain current IDM 24 A Avalanche energy, single pulse EAS 180 mJ Power dissipation PD Derate above 25°C Operating junction temperature Storage temperature Continuous diode forward current Diode pulse current 45.8 41.7 W 0.4 0.33 W/℃ Tj -55~150 ℃ Tstg -55~150 ℃ IS 6 A ISpulse 24 A Thermal Characteristic Thermal resistance,junction-to-case RθJC 2.73 3 ℃/W Thermal resistance,junction-to-ambient RθJA 62 62.5 ℃/W Rev.3.0 2022 www.way-on.com PDF
Документация на WML6N80D1 

Subject:

Дата модификации: 10.03.2023

Размер: 1.14 Мб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    12 февраля 2026
    статья

    Высоковольтные VD- и SJ-MOSFET: современный выбор для источников питания и инверторов

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Высоковольтные MOSFET–транзисторы являются ключевыми элементами современной силовой электроники. Они применяются в импульсных источниках питания, PFC–преобразователях, сварочных инверторах, зарядных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)