WML6N80D1

WMO6N80D1 WML6N80D1 800V 6A 2.5Ω N-ch Power MOSFET Description TAB G D Features  Typ.RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  Pb-free,Halogen free SMPS  Charger  DC-DC G S D S RoHS Applications  TO-220F TO-252 WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high p...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
позавчера
статья

Высоковольтные VD- и SJ-MOSFET: современный выбор для источников питания и инверторов

Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Высоковольтные MOSFET–транзисторы являются ключевыми элементами современной силовой электроники. Они применяются в импульсных источниках питания, PFC–преобразователях, сварочных инверторах, зарядных... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.