WMM028N10HGS

WMM028N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM028N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This G device is well suited for high efficiency fast switching applications. S TO-263 Features  VDS = 100V, ID = 257A  RDS(on) ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCEP026N85D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
в ленте 10 шт
 
±
A+ WMLL025N10HGS (WAYON)
 
 
A+ CRSZ025N10NZ (CRMICRO)
 
 
A+ NCEP026N10LL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
±
A+ NCEP023N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ WMK028N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMJ020N10HGS (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMM020N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 100 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.