WMN25N70EM

WAYON
WML25N7 W 70EM, WM MK25N70EM WMN25 5N70EM, WMM25N7 W 70EM, WM MJ25N70EM 700V 0.165Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon’s W 3rd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D S G S D G EM is TO-22 20F suitable fo or applicatt...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-262-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMJ25N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
A+ WMK80R260S (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMJ80R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WML80R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML25N80M3 (WAYON)
 
TO220F 10 шт
 
 — — — — —
A+ WMK25N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMJ90R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMM80R260S (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMM25N80M3 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ WML90R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML25N7 W 70EM, WM MK25N70EM WMN25 5N70EM, WMM25N7 W 70EM, WM MJ25N70EM 700V 0.165Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon’s W 3rd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D S G S D G EM is TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D S TO-220 T D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-26 63  VDS =7 750V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.16 65Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit VDSSS 700 V ID 22 A 13 A IDM M 80 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 418 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.6 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 3.8 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current1) Diode pulse e current 2) 147 34 W 1.18 0.27 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 22 A IS,puulse 80 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.85 3.7 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.1.1, 2019 Doc.W08 870038 1 / 12 PDF
Документация на серию WMx25N70EM 

Microsoft Word - WMx25N70EM W0870038 V1.1

Дата модификации: 24.11.2022

Размер: 655.5 Кб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)