WMO09N65C2

WML0 09N65C2, WMH09N65C2, WM MM09N65C C2 WMO0 09N65C2, WMP09N65C2, WM MG09N65C C2 650V V 0.83Ω Super Junction n Power MOSFET Descrip ption D TM WMOS C2 is Wa ayon’s 2 nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge S balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is G G D TO-22 20F suitable fo or appl...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMN09N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3
A+ WMO11N65C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 5000 шт
 
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
A+ WMK14N70C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK11N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK10N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK09N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMP14N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP11N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP11N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP09N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMN11N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3
A+ WMO14N70C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMN10N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3
A+ WMM14N70C2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMM11N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMM10N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMM09N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WML16N70C2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
A+ WML14N70C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WML11N65C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WML09N65C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ CJPF10N65 (JSCJ)
 
TO220F
 
±

Файлы 1

показать свернуть
WML0 09N65C2, WMH09N65C2, WM MM09N65C C2 WMO0 09N65C2, WMP09N65C2, WM MG09N65C C2 650V V 0.83Ω Super Junction n Power MOSFET Descrip ption D TM WMOS C2 is Wa ayon’s 2 nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge S balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is G G D TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-263 S D G S TO-251 D power density and outstanding efficiency. Features S G G VDS =7 700V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.83 3Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S G TO-251S3 TO-25 52  D D S TO-251S2 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMH//WMM/WMO/W WMP/WMG WML Unit VDSSS 650 V ID 6 A 3.6 A IDM M 12 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 26 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.1 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 0.9 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 45 26 W 0.36 0.21 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 6 A IS,puulse 12 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMH//WMM/WMO/W WMP/WMG WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2.8 4.9 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2017 Doc.W08 865003 1 / 10 PDF
Документация на WML09N65C2 

Microsoft Word - WMx09N65C2 W0865003 V2.0

Дата модификации: 28.07.2022

Размер: 565.9 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.